| Время предварительного заряда по RAS.
Эта функция позволяет установить время (в тактах системной шины) для
формирования сигнала RAS (иногда говорят о накоплении заряда по RAS) до начала
цикла регенерации памяти. Уменьшение этого значения увеличивает
быстродействие. Но если установлено недостаточное время, регенерация может
быть некомплектной, что в итоге приведет к потере данных, находящихся в
памяти. Возможные значения могут быть представлены в различном виде: в виде
цифровых значений - "3", "4" и т.д.; с указанием системных тактов - "3 Clocks"
или "1T". А ряд значений, как правило, следующий:
Опция может иметь множество названий:
- DRAM RAS# Precharge Period
- RAS# Precharge Time
- RAS# Precharge Period
- FPM DRAM RAS# Precharge
- FPM RAS Precharge
- RAS# Precharge
- EDO RAS Precharge
- EDO RAS# Precharge Time
- EDO RAS Precharge Timing
- FPM/EDO RAS# Precharge Time
Как видим, опция не потеряла своей актуальности с появлением EDO-памяти и,
что интересно, затем также BEDO- и SDRAM- модулей: "BEDO RAS Precharge", "SDRAM
RAS# Precharge", "SDRAM RAS Precharge Time".
Правда, кроме привычных параметров типа "3T" или "2 Clks" в различных
версиях BIOS стали "встречаться" новые виды значений, например, "Same as FPM"
и "FPM-1T", "Fast" и "Normal", "Fast" и "Slow". Для последней пары параметров
"Slow" (медленно) равносильно увеличению количества тактов, что повышает
стабильность работы системы, поэтому значение "Fast" следует устанавливать в
случае уверенности в качестве модулей памяти.
|
